Биполярный транзистор BFP843F Даташит. Аналоги
Наименование производителя: BFP843F
Маркировка: T2*
Тип материала: SiGe
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.125 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 2.9 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 2.25 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.055 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.06 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 150
Корпус транзистора: TSFP4-1
Аналог (замена) для BFP843F
BFP843F Datasheet (PDF)
bfp843f.pdf

BFP843FSiGe:C NPN RF bipolar transistorProduct descriptionThe BFP843F is a robust low noise broadband pre-matched RF heterojunction bipolartransistor (HBT).Feature list Unique combination of high end RF performance and robustness: 20 dBm maximum RF input power,1.5 kV HBM ESD hardness High transition frequency to enable best in class noise performance at high frequencies:
bfp843.pdf

BFP843Robust low noise broadband pre-matched RF bipolar transistorProduct descriptionThe BFP843 is a robust low noise broadband pre-matched RF heterojunction bipolartransistor (HBT).Feature list Unique combination of high end RF performance and robustness: 20 dBm maximum RF input power,1.5 kV HBM ESD hardness High transition frequency enables best in class noise performanc
bfp842esd.pdf

BFP842ESDSiGe:C NPN RF bipolar transistorProduct descriptionThe BFP842ESD is a high performance RF heterojunction bipolar transistor (HBT) with anintegrated ESD protection suitable for 2.3 - 3.5 GHz LNA applications.Feature list Unique combination of high end RF performance and robustness: 16 dBm maximum RF input power,1 kV HBM ESD hardness High transition frequency fT = 5
bfp840esd.pdf

BFP840ESDSiGe:C NPN RF bipolar transistorProduct descriptionThe BFP840ESD is a discrete RF heterojunction bipolar transistor (HBT) with anintegrated ESD protection suitable for 5 GHz band applications.Feature list Unique combination of high end RF performance and robustness: 20 dBm maximum RF input power,1.5 kV HBM ESD hardness High transition frequency fT = 80 GHz to enab
Другие транзисторы... BFP740F , BFP740FESD , BFP760 , BFP780 , BFP840ESD , BFP840FESD , BFP842ESD , BFP843 , 2SC2655 , BFQ790 , BFR193F , BFR193L3 , BFR193W , BFR360L3 , BFR380F , BFR740EL3 , BFR740L3RH .
History: STC1777
History: STC1777



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
tip36c transistor | 2sc3320 | 2sc2078 | ac127 transistor | a42 transistor | bc547c | 2sa726 | 2sd313