Справочник транзисторов. BFR193L3

 

Биполярный транзистор BFR193L3 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: BFR193L3

Маркировка: RC

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.58 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.08 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 6000 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.63 pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70

Корпус транзистора: TSLP3-1

Аналоги (замена) для BFR193L3

 

 

BFR193L3 Datasheet (PDF)

..1. bfr193l3.pdf Size:495K _infineon

BFR193L3 BFR193L3

BFR193L3NPN Bipolar RF Transistor For low noise, high-gain amplifiers up to 2 GHz3 For linear broadband amplifiers1 fT = 8 GHz, NFmin = 1 dB at 900 MHz 2 Pb-free (RoHS compliant) package Qualification report according to AEC-Q101 availableESD (Electrostatic discharge) sensitive device, observe handling precaution!Type Marking Pin Configuration PackageBFR193L

8.1. bfr193w.pdf Size:56K _siemens

BFR193L3 BFR193L3

BFR 193WNPN Silicon RF Transistor For low noise, high-gain amplifiers up to 2GHz For linear broadband amplifiers fT = 8GHz F = 1.3dB at 900MHzESD: Electrostatic discharge sensitive device, observe handling precaution!Type Marking Ordering Code Pin Configuration PackageBFR 193W RCs Q62702-F1510 1 = B 2 = E 3 = C SOT-323Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitCol

8.2. bfr193.pdf Size:56K _siemens

BFR193L3 BFR193L3

BFR 193NPN Silicon RF Transistor For low noise, high-gain amplifiers up to 2GHz For linear broadband amplifiers fT = 8GHz F = 1.3dB at 900MHzESD: Electrostatic discharge sensitive device, observe handling precaution!Type Marking Ordering Code Pin Configuration PackageBFR 193 RCs Q62702-F1218 1 = B 2 = E 3 = C SOT-23Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitCollec

 8.3. bfr193w.pdf Size:655K _infineon

BFR193L3 BFR193L3

BFR193WLow Noise Silicon Bipolar RF Transistor For low noise, high-gain amplifiers up to 2 GHz For linear broadband amplifiers3 21 fT = 8 GHz, NFmin = 1 dB at 900 MHz Pb-free (RoHS compliant) package Qualification report according to AEC-Q101 availableESD (Electrostatic discharge) sensitive device, observe handling precaution!Type Marking Pin Configuration Pac

8.4. bfr193.pdf Size:626K _infineon

BFR193L3 BFR193L3

BFR193Low Noise Silicon Bipolar RF Transistor For low noise, high-gain amplifiers up to 2 GHz For linear broadband amplifiers fT = 8 GHz, NFmin = 1 dB at 900 MHz Pb-free (RoHS compliant) package Qualification report according to AEC-Q101 availableESD (Electrostatic discharge) sensitive device, observe handling precaution!Type Marking Pin Configuration PackageBFR

 8.5. bfr193f.pdf Size:536K _infineon

BFR193L3 BFR193L3

BFR193FLow Noise Silicon Bipolar RF Transistor For low noise, high-gain amplifiers up to 2 GHz23 For linear broadband amplifiers1 fT = 8 GHz, NFmin = 1 dB at 900 MHz Pb-free (RoHS compliant) and halogen-free product Qualification report according to AEC-Q101 availableESD (Electrostatic discharge) sensitive device, observe handling precaution!Type Marking Pin

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , TIP31 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top