BFR193L3 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BFR193L3  📄📄 

Маркировка: RC

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.58 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.08 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 6000 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.63 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 70

Корпус транзистора: TSLP3-1

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для BFR193L3

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BFR193L3 даташит

 ..1. Size:495K  infineon
 bfr193l3.pdf pdf_icon

BFR193L3

BFR193L3 NPN Bipolar RF Transistor For low noise, high-gain amplifiers up to 2 GHz 3 For linear broadband amplifiers 1 fT = 8 GHz, NFmin = 1 dB at 900 MHz 2 Pb-free (RoHS compliant) package Qualification report according to AEC-Q101 available ESD (Electrostatic discharge) sensitive device, observe handling precaution! Type Marking Pin Configuration Package BFR193L

 8.1. Size:56K  siemens
 bfr193w.pdf pdf_icon

BFR193L3

BFR 193W NPN Silicon RF Transistor For low noise, high-gain amplifiers up to 2GHz For linear broadband amplifiers fT = 8GHz F = 1.3dB at 900MHz ESD Electrostatic discharge sensitive device, observe handling precaution! Type Marking Ordering Code Pin Configuration Package BFR 193W RCs Q62702-F1510 1 = B 2 = E 3 = C SOT-323 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Col

 8.2. Size:56K  siemens
 bfr193.pdf pdf_icon

BFR193L3

BFR 193 NPN Silicon RF Transistor For low noise, high-gain amplifiers up to 2GHz For linear broadband amplifiers fT = 8GHz F = 1.3dB at 900MHz ESD Electrostatic discharge sensitive device, observe handling precaution! Type Marking Ordering Code Pin Configuration Package BFR 193 RCs Q62702-F1218 1 = B 2 = E 3 = C SOT-23 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Collec

 8.3. Size:536K  infineon
 bfr193f.pdf pdf_icon

BFR193L3

BFR193F Low Noise Silicon Bipolar RF Transistor For low noise, high-gain amplifiers up to 2 GHz 2 3 For linear broadband amplifiers 1 fT = 8 GHz, NFmin = 1 dB at 900 MHz Pb-free (RoHS compliant) and halogen-free product Qualification report according to AEC-Q101 available ESD (Electrostatic discharge) sensitive device, observe handling precaution! Type Marking Pin

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: BFP780, BFP840ESD, BFP840FESD, BFP842ESD, BFP843, BFP843F, BFQ790, BFR193F, 2SC2240, BFR193W, BFR360L3, BFR380F, BFR740EL3, BFR740L3RH, BFR840L3RHESD, BFR843EL3, SMBT3906L3