2SA1195 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SA1195  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 35 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 80

Корпус транзистора: TO126

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2SA1195

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SA1195 даташит

 ..1. Size:126K  toshiba
2sa1195.pdfpdf_icon

2SA1195

 ..2. Size:148K  jmnic
2sa1195.pdfpdf_icon

2SA1195

JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SA1195 DESCRIPTION With TO-202 package High power dissipation Complement to type 2SC2483 APPLICATIONS For high voltage and general purpose amplification PINNING(see Fig.2) PIN DESCRIPTION 1 Base 2 Collector Fig.1 simplified outline (TO-202) and symbol 3 Emitter Absolute maximum ratings (Ta=25 ) SYM

 ..3. Size:161K  inchange semiconductor
2sa1195.pdfpdf_icon

2SA1195

isc Silicon PNP Power Transistor 2SA1195 DESCRIPTION Low Collector Saturation Voltage High voltage Complement to Type 2SC2483 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for audio frequency power amplifiers ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector-Base Voltage -160 V CBO V Co

 8.1. Size:105K  1
2sa1198s 2sa1199s.pdfpdf_icon

2SA1195

Другие транзисторы: 2SA1188, 2SA1189, 2SA119, 2SA1190, 2SA1191, 2SA1193, 2SA1194, 2SA1194K, 13009, 2SA1196, 2SA1197, 2SA1198, 2SA1198S, 2SA1199, 2SA1199S, 2SA12, 2SA120