MMBT5401LT3G datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MMBT5401LT3G  📄📄 

Маркировка: 2L*

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60

Корпус транзистора: SOT23

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для MMBT5401LT3G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MMBT5401LT3G даташит

 ..1. Size:112K  onsemi
 mmbt5401lt1g smmbt5401lt1g mmbt5401lt3g.pdf pdf_icon

MMBT5401LT3G

MMBT5401LT1G, SMMBT5401LT1G, MMBT5401LT3G High Voltage Transistor PNP Silicon http //onsemi.com Features AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements SOT-23 (TO-236) CASE 318 These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS STYLE 6 Compliant COLLECTOR MAXIMUM RATI

 0.1. Size:125K  onsemi
 nsvmmbt5401lt3g.pdf pdf_icon

MMBT5401LT3G

MMBT5401L, SMMBT5401L, NSVMMBT5401L High Voltage Transistor PNP Silicon http //onsemi.com Features S and NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS SOT-23 (TO-236) Compliant CASE 318 STYLE 6 MAXIMUM RATINGS COLLECTO

 4.1. Size:125K  onsemi
 mmbt5401lt1g.pdf pdf_icon

MMBT5401LT3G

MMBT5401LT1G, SMMBT5401LT1G, MMBT5401LT3G High Voltage Transistor PNP Silicon http //onsemi.com Features AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements SOT-23 (TO-236) CASE 318 These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS STYLE 6 Compliant* COLLECTOR MAXIMUM RAT

 4.2. Size:115K  onsemi
 mmbt5401lt1-d.pdf pdf_icon

MMBT5401LT3G

MMBT5401LT1G High Voltage Transistor PNP Silicon Features These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS http //onsemi.com Compliant COLLECTOR 3 MAXIMUM RATINGS Rating Symbol Value Unit 1 Collector-Emitter Voltage VCEO -150 Vdc BASE Collector-Base Voltage VCBO -160 Vdc 2 Emitter-Base Voltage VEBO -5.0 Vdc EMITTER Collector Current - Continuous IC -500 mAdc S

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: KSP44TA, KSP44TF, KSP45TA, MBT2222ADW1, MBT3904DW2, MBT6429DW1T1G, MJ14001G, MJE350G, BD333, MMBT5401M3, MMBTA42LT, MMBTA43L, MMBTA93L, MMBTH10-04LT1G, MMJT350, MPSA42G, MPSA42RL1G