Справочник транзисторов. MMBTH10-04LT1G

 

Биполярный транзистор MMBTH10-04LT1G Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: MMBTH10-04LT1G
   Маркировка: 3E4*
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.01 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 800 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.7 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
   Корпус транзистора: SOT23
 

 Аналог (замена) для MMBTH10-04LT1G

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MMBTH10-04LT1G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:151K  onsemi
mmbth10lt1g mmbth10-04lt1g nsvmmbth10lt1g.pdfpdf_icon

MMBTH10-04LT1G

MMBTH10L,MMBTH10-4L,SMMBTH10-4L,NSVMMBTH10LVHF/UHF Transistorwww.onsemi.comNPN SiliconFeatures S and NSV Prefixes for Automotive and Other ApplicationsSOT-23 (TO-236)Requiring Unique Site and Control Change Requirements;CASE 318AEC-Q101 Qualified and PPAP CapableSTYLE 6 These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSCOLLECTORCompliant31M

 ..2. Size:204K  onsemi
mmbth10lt1g nsvmmbth10lt1g mmbth10-04lt1g.pdfpdf_icon

MMBTH10-04LT1G

ON SemiconductorIs NowTo learn more about onsemi, please visit our website at www.onsemi.comonsemi and and other names, marks, and brands are registered and/or common law trademarks of Semiconductor Components Industries, LLC dba onsemi or its affiliates and/or subsidiaries in the United States and/or other countries. onsemi owns the rights to a number of patents, trademarks,

 6.1. Size:102K  onsemi
mmbth10-4lt1g.pdfpdf_icon

MMBTH10-04LT1G

MMBTH10LT1G,NSVMMBTH10LT1G,MMBTH10LT3G,MMBTH10-4LT1GVHF/UHF Transistorhttp://onsemi.comNPN SiliconFeatures AEC-Q101 Qualified and PPAP CapableSOT-23 (TO-236) NSV Prefix for Automotive and Other Applications RequiringCASE 318Unique Site and Control Change Requirements STYLE 6 These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSCOLLECTORCompliant*

 6.2. Size:91K  onsemi
mmbth10l mmbth10-4l smmbth10-4l nsvmmbth10l.pdfpdf_icon

MMBTH10-04LT1G

MMBTH10L,MMBTH10-4L,SMMBTH10-4L,NSVMMBTH10LVHF/UHF Transistorwww.onsemi.comNPN SiliconFeatures S and NSV Prefixes for Automotive and Other ApplicationsSOT-23 (TO-236)Requiring Unique Site and Control Change Requirements;CASE 318AEC-Q101 Qualified and PPAP CapableSTYLE 6 These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSCOLLECTORCompliant31M

Другие транзисторы... MBT6429DW1T1G , MJ14001G , MJE350G , MMBT5401LT3G , MMBT5401M3 , MMBTA42LT , MMBTA43L , MMBTA93L , C945 , MMJT350 , MPSA42G , MPSA42RL1G , MPSA42RLRAG , MPSA42RLRMG , MPSA42RLRPG , MPSA42ZL1G , MSB1218A .

History: BC156C | KSA812G | BC160-16 | 2SB946A | KT385BM-2 | 2SD1997 | STA404A

 

 
Back to Top

 


 
.