Биполярный транзистор 2SA1235 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2SA1235
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 400
Корпус транзистора: TO236
2SA1235 Datasheet (PDF)
2sa1235.pdf
SMD Type orSMD Type TransistICsPNP Transistors2SA1235SOT-23Unit: mm+0.12.9 -0.1+0.10.4 -0.13FeaturesSmall collector to emitter saturation voltage.1 2+0.1Excelent lineary DC forward current gain. +0.050.95-0.1 0.1-0.01+0.11.9-0.1Super mini package for easy mounting.1.Base2.Emitter3.collectorAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Un
2sa1235a.pdf
2SA1235A -0.2A , -60V PNP Silicon Plastic Encapsulated Transistor Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free SOT-23 FEATURES Low Collector Current A Low Collector Power Dissipation L33Top View C BCLASSIFICATION OF hFE (1) 11 22Product-Rank 2SA1235A-ME 2SA1235A-MF K ERange 150~300 250~500DMa
2sa1235a.pdf
DONG GUAN SHI HUA YUAN ELECTRON CO.,LTD. TEL 86-769-5335378 86-769-5305266 FEX 86-769-5316189 SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors SOT23 1. BASE 2SA1235A TRANSISTOR PNP 2. EMITTER 3. COLLECTOR FEATURES Power dissipation 2.4 PCM : 0.2 WTamb=25 1.3 Collector current ICM: -0.2 A Collector-base voltage V
2sa1235a.pdf
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors2SA1235A TRANSISTOR (PNP)SOT23 FEATURES Low Collector Current Low Collector Power DissipationMAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) 1. BASESymbol Parameter Value Unit 2. EMITTERV Collector-Base Voltage -60 V CBO3. COLLECTORV Collector-Emitter Voltage -50 V C
2sa1235a.pdf
2SA1 235ATRANSISTOR(PNP)SOT23 FEATURES Low Collector Current Low Collector Power Dissipation MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) 1. BASE Symbol Parameter Value Unit 2. EMITTER VCBO Collector-Base Voltage -60 V 3. COLLECTOR V Collector-Emitter Voltage -50 V CEOV Emitter-Base Voltage -6 V EBOI Collector Current -200 mA CP Collector Powe
l2sa1235flt1g.pdf
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.General Purpose TransistorDESCRIPTION L2SA1365FLT1G is a mini package silicon PNP epitaxial transistor, L2SA1235FLT1Git is designed for low frequency voltage application.S-L2SA1235FLT1G . FEATURE Small collector to emitter saturation voltage. VCE(sat)=-0.3V max ( @I c=-100mA, I B=-10mA)3Excellent linearity of DC forward current gain.
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050