Аналоги S2000AFI. Основные параметры
Наименование производителя: S2000AFI
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 700 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 7(typ) MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 6
Корпус транзистора: ISOWATT218
Аналоги (замена) для S2000AFI
S2000AFI даташит
s2000afi.pdf
S2000AFI HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR STMicroelectronics PREFERRED SALESTYPE HIGH VOLTAGE CAPABILITY U.L. RECOGNISED ISOWATT218 PACKAGE (U.L. FILE # E81734 (N). APPLICATIONS HORIZONTAL DEFLECTION FOR COLOUR 3 TV 2 1 DESCRIPTION The S2000AFI is manufactured using ISOWATT218 Multiepitaxial Mesa technology for cost-effective high performance and use
s2000afi.pdf
Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors S2000AFI DESCRIPTION With TO-3P(H)IS package High voltage Fast switching APPLICATIONS Horizontal deflection for color TV PINNING PIN DESCRIPTION 1 Base 2 Collector Fig.1 simplified outline (TO-3P(H)IS) and symbol 3 Emitter Absolute maximum ratings (Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER CONDITION
s2000af.pdf
S2000AF High voltage NPN power transistor for standard definition CRT display Features State-of-the-art technology Diffused collector Enhanced generation Stable performances versus operating temperature variation Low base-drive requirement 3 2 Tigh hFE range at operating collector current 1 High ruggedness ISOWATT218FX Fully insulated power pac
s2000af.pdf
Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors S2000AF DESCRIPTION With TO-3P(H)IS package High voltage Fast switching APPLICATIONS Horizontal deflection for color TV PINNING PIN DESCRIPTION 1 Base 2 Collector Fig.1 simplified outline (TO-3P(H)IS) and symbol 3 Emitter Absolute maximum ratings (Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER CONDITIONS
Другие транзисторы... S8550-MS , S9012-MS , S9013-MS , S9014-MS , S9015-MS , S9018-MS , SS8050-MS , SS8550-MS , D882P , UB1580 , UP3855 , 2SC1623L4-T3 , 2SC1623L5-T3 , 2SC1623L6-T3 , 2SC1623L7-T3 , D882-R-TE3B , D882-R-TD3T .
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2n5401 datasheet | mj21194g | irfz34n | mn2488 | irfb438 | mj21193g | irf3710 pinout | irf9530 datasheet



