S2000AFI datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: S2000AFI  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 700 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 7 typ MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 6

Корпус транзистора: ISOWATT218

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для S2000AFI

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

S2000AFI даташит

 ..1. Size:59K  st
s2000afi.pdfpdf_icon

S2000AFI

S2000AFI HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR STMicroelectronics PREFERRED SALESTYPE HIGH VOLTAGE CAPABILITY U.L. RECOGNISED ISOWATT218 PACKAGE (U.L. FILE # E81734 (N). APPLICATIONS HORIZONTAL DEFLECTION FOR COLOUR 3 TV 2 1 DESCRIPTION The S2000AFI is manufactured using ISOWATT218 Multiepitaxial Mesa technology for cost-effective high performance and use

 ..2. Size:117K  inchange semiconductor
s2000afi.pdfpdf_icon

S2000AFI

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors S2000AFI DESCRIPTION With TO-3P(H)IS package High voltage Fast switching APPLICATIONS Horizontal deflection for color TV PINNING PIN DESCRIPTION 1 Base 2 Collector Fig.1 simplified outline (TO-3P(H)IS) and symbol 3 Emitter Absolute maximum ratings (Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER CONDITION

 7.1. Size:216K  st
s2000af.pdfpdf_icon

S2000AFI

S2000AF High voltage NPN power transistor for standard definition CRT display Features State-of-the-art technology Diffused collector Enhanced generation Stable performances versus operating temperature variation Low base-drive requirement 3 2 Tigh hFE range at operating collector current 1 High ruggedness ISOWATT218FX Fully insulated power pac

 7.2. Size:117K  inchange semiconductor
s2000af.pdfpdf_icon

S2000AFI

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors S2000AF DESCRIPTION With TO-3P(H)IS package High voltage Fast switching APPLICATIONS Horizontal deflection for color TV PINNING PIN DESCRIPTION 1 Base 2 Collector Fig.1 simplified outline (TO-3P(H)IS) and symbol 3 Emitter Absolute maximum ratings (Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER CONDITIONS

Другие транзисторы: S8550-MS, S9012-MS, S9013-MS, S9014-MS, S9015-MS, S9018-MS, SS8050-MS, SS8550-MS, 2SD998, UB1580, UP3855, 2SC1623L4-T3, 2SC1623L5-T3, 2SC1623L6-T3, 2SC1623L7-T3, D882-R-TE3B, D882-R-TD3T