Справочник транзисторов. 2SCR554P5

 

Биполярный транзистор 2SCR554P5 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: 2SCR554P5

Маркировка: NH

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300(typ) MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 10 pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120

Корпус транзистора: SOT89

Аналоги (замена) для 2SCR554P5

 

 

2SCR554P5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1815K  rohm
 2scr554p5.pdf

2SCR554P5 2SCR554P5

2SCR554P5DatasheetMiddle Power Transistors (80V / 1.5A)lOutlinel SOT-89 Parameter Value SC-62 VCEO80VIC1.5AMPT3lFeatures lInner circuitl l1)Low saturation voltage,typicallyVCE(sat)=300mV(Max.)(IC/IB=500mA/25mA)2)High speed switchinglApplicationlLOW FREQUENCY AMPLIFIER, HIGH SPEED SWITCHINGlPackaging speci

 6.1. Size:1546K  rohm
 2scr554pfra.pdf

2SCR554P5 2SCR554P5

2SCR554P FRADatasheetMiddle Power Transistor (80V / 1.5A)AEC-Q101 QualifiedlOutlinel SOT-89 Parameter Value SC-62 VCEO80VIC1.5AMPT3lFeatures lInner circuitl l1)Low saturation voltage,typicallyVCE(sat)=300mV(Max.)(IC/IB=500mA/25mA)2)High speed switchinglApplicationlLOW FREQUENCY AMPLIFIER, HIGH SPEED SWITC

 6.2. Size:239K  rohm
 2scr554p.pdf

2SCR554P5 2SCR554P5

Midium Power Transistors (80V / 1.5A) 2SCR554P Structure Dimensions (Unit : mm)NPN Silicon epitaxial planar transistor Features1) Low saturation voltage, typicallyVCE (sat) = 0.3V (Max.) (IC / IB= 500mA / 25mA)(1) (2) (3)2) High speed switching ApplicationsAbbreviated symbol : NHDriver Packaging specifications Inner circuit (Unit : mm)(2)Package

 7.1. Size:435K  rohm
 2scr554r.pdf

2SCR554P5 2SCR554P5

Midium Power Transistors (80V / 1.5A) 2SCR554R Features Dimensions (Unit : mm)1) Low saturation voltage, typicallyTSMT3VCE (sat) = 0.3V (Max.) (IC / IB= 500mA / 25mA)2) High speed switching(3)(1) (2) Structure(1) Base(2) EmitterNPN Silicon epitaxial planar transistor(3) Collector Abbreviated symbol : NH Applications Inner circuitDriver(3) Pa

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , 2SB817 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top