2SCR554P5 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SCR554P5  📄📄 

Маркировка: NH

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300 typ MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 10 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 120

Корпус транзистора: SOT89

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2SCR554P5

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SCR554P5 даташит

 ..1. Size:1815K  rohm
 2scr554p5.pdf pdf_icon

2SCR554P5

2SCR554P5 Datasheet Middle Power Transistors (80V / 1.5A) lOutline l SOT-89 Parameter Value SC-62 VCEO 80V IC 1.5A MPT3 lFeatures lInner circuit l l 1)Low saturation voltage,typically VCE(sat)=300mV(Max.) (IC/IB=500mA/25mA) 2)High speed switching lApplication l LOW FREQUENCY AMPLIFIER, HIGH SPEED SWITCHING lPackaging speci

 6.1. Size:1546K  rohm
 2scr554pfra.pdf pdf_icon

2SCR554P5

2SCR554P FRA Datasheet Middle Power Transistor (80V / 1.5A) AEC-Q101 Qualified lOutline l SOT-89 Parameter Value SC-62 VCEO 80V IC 1.5A MPT3 lFeatures lInner circuit l l 1)Low saturation voltage,typically VCE(sat)=300mV(Max.) (IC/IB=500mA/25mA) 2)High speed switching lApplication l LOW FREQUENCY AMPLIFIER, HIGH SPEED SWITC

 6.2. Size:239K  rohm
 2scr554p.pdf pdf_icon

2SCR554P5

Midium Power Transistors (80V / 1.5A) 2SCR554P Structure Dimensions (Unit mm) NPN Silicon epitaxial planar transistor Features 1) Low saturation voltage, typically VCE (sat) = 0.3V (Max.) (IC / IB= 500mA / 25mA) (1) (2) (3) 2) High speed switching Applications Abbreviated symbol NH Driver Packaging specifications Inner circuit (Unit mm) (2) Package

 7.1. Size:435K  rohm
 2scr554r.pdf pdf_icon

2SCR554P5

Midium Power Transistors (80V / 1.5A) 2SCR554R Features Dimensions (Unit mm) 1) Low saturation voltage, typically TSMT3 VCE (sat) = 0.3V (Max.) (IC / IB= 500mA / 25mA) 2) High speed switching (3) (1) (2) Structure (1) Base (2) Emitter NPN Silicon epitaxial planar transistor (3) Collector Abbreviated symbol NH Applications Inner circuit Driver (3) Pa

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SC5876U3, 2SCR293P5, 2SCR346P, 2SCR502U3HZG, 2SCR512P5, 2SCR513P5, 2SCR533P5, 2SCR544P5, 2SC1815, 2SCR572D3, 2SCR572D3FRA, 2SCR573D3, 2SCR574D3FRA, BC847BHZG, BC847BU3, BC857BHZG, DTA115EUB