HN1A01FE-Y datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HN1A01FE-Y  📄📄 

Маркировка: D1Y

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 120

Корпус транзистора: ES6

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для HN1A01FE-Y

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

HN1A01FE-Y даташит

 ..1. Size:204K  toshiba
 hn1a01fe-y hn1a01fe-gr.pdf pdf_icon

HN1A01FE-Y

 6.1. Size:174K  toshiba
 hn1a01fe.pdf pdf_icon

HN1A01FE-Y

HN1A01FE TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) HN1A01FE Unit mm Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications Small package (Dual type) High voltage and high current VCEO = -50V, IC = -150mA (max) High hFE hFE = 120 400 Excellent hFE linearity hFE (IC = -0.1mA) / hFE (IC = -2mA) = 0.95 (typ.) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C)

 7.1. Size:228K  toshiba
 hn1a01f.pdf pdf_icon

HN1A01FE-Y

HN1A01F TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) HN1A01F Unit mm Audio-Frequency General-Purpose Amplifier Applications Small package (dual type) High voltage and high current VCEO = -50 V, IC = -150 mA (max) High hFE hFE = 120 400 Excellent hFE linearity hFE (IC = -0.1 mA) / hFE (IC = -2 mA) = 0.95 (typ.) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25

 7.2. Size:242K  toshiba
 hn1a01fu.pdf pdf_icon

HN1A01FE-Y

HN1A01FU TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) HN1A01FU Unit mm Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications Small package (Dual type) High voltage and high current V =-50V, I =-150mA (max) CEO C High h h = 120 400 FE FE Excellent h linearity FE h (I =-0.1mA) / h (I =-2mA) = 0.95 (typ.) FE C FE C Absolute Maximum Ratings

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SC4213-B, 2SC5066O, 2SC5066Y, 2SC5084O, 2SC5084Y, 2SC6026MFV-GR, 2SC6026MFV-Y, HN1A01FE-GR, BD678A, HN1B04FE-GR, HN1B04FE-Y, 2N25550, 2N25551, 2SA1015G, 2SA1015O, 2SA1015Y, 2SA733L