MRF559 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: MRF559 📄📄
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 36 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 16 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3000 typ MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30
Корпус транзистора: CASE317-01
📄📄 Копировать
Аналоги (замена) для MRF559
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
MRF559 даташит
mrf559.pdf
MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF559/D The RF Line NPN Silicon MRF559 High-Frequency Transistor . . . designed for UHF linear and large signal amplifier applications. Specified 12.5 Volt, 870 MHz Characteristics Output Power = 0.5 Watts Minimum Gain = 8.0 dB 0.5 W, 870 MHz Efficiency 50% HIGH FREQUENCY S Parameter Data From 250 MHz t
mrf559re.pdf
MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF559/D The RF Line NPN Silicon MRF559 High-Frequency Transistor . . . designed for UHF linear and large signal amplifier applications. Specified 12.5 Volt, 870 MHz Characteristics Output Power = 0.5 Watts Minimum Gain = 8.0 dB 0.5 W, 870 MHz Efficiency 50% HIGH FREQUENCY S Parameter Data From 250 MHz t
mrf557re.pdf
MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF557/D The RF Line NPN Silicon MRF557 RF Low Power Transistor Designed primarily for wideband large signal predriver stages in the 800 MHz frequency range. Specified @ 12.5 V, 870 MHz Characteristics Output Power = 1.5 W 1.5 W, 870 MHz Minimum Gain = 8.0 dB RF LOW POWER Efficiency 60% (Typ) TRANSISTOR Cost E
mrf555re.pdf
MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF555/D The RF Line NPN Silicon MRF555 RF Low Power Transistor Designed primarily for wideband large signal predriver stages in the UHF frequency range. Specified @ 12.5 V, 470 MHz Characteristics @ Pout = 1.5 W Common Emitter Power Gain = 12.5 dB (Typ) 1.5 W, 470 MHz Efficiency 60% (Typ) RF LOW POWER Cost Effe
Другие транзисторы: MRF3104, MRF3105, MRF3106, MRF338, MRF4427R2, MRF553, MRF557, MRF5583, BC547, MRF5812, MRF5811LT1, MRF5943, MRF6402, MRF6404, MRF6404K, MRF6408, MRF6409
Параметры биполярного транзистора и их взаимосвязь
History: MRF5811LT1 | MRF5812 | BFX67 | MRF837 | KT542A | RN1703 | RN1701
🌐 : EN
ES
РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: ZDT6705 | GA1L4Z | GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L
Popular searches
2sd217 | bdw93c equivalent | cs7n60f | d613 transistor | fdmc8884 mosfet | k3569 mosfet equivalent | 2sa1370 | 4508nh mosfet











