MRF559 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MRF559  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 36 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 16 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3000 typ MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: CASE317-01

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для MRF559

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MRF559 даташит

 ..1. Size:124K  motorola
mrf559.pdfpdf_icon

MRF559

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF559/D The RF Line NPN Silicon MRF559 High-Frequency Transistor . . . designed for UHF linear and large signal amplifier applications. Specified 12.5 Volt, 870 MHz Characteristics Output Power = 0.5 Watts Minimum Gain = 8.0 dB 0.5 W, 870 MHz Efficiency 50% HIGH FREQUENCY S Parameter Data From 250 MHz t

 0.1. Size:157K  motorola
mrf559re.pdfpdf_icon

MRF559

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF559/D The RF Line NPN Silicon MRF559 High-Frequency Transistor . . . designed for UHF linear and large signal amplifier applications. Specified 12.5 Volt, 870 MHz Characteristics Output Power = 0.5 Watts Minimum Gain = 8.0 dB 0.5 W, 870 MHz Efficiency 50% HIGH FREQUENCY S Parameter Data From 250 MHz t

 9.1. Size:91K  motorola
mrf557re.pdfpdf_icon

MRF559

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF557/D The RF Line NPN Silicon MRF557 RF Low Power Transistor Designed primarily for wideband large signal predriver stages in the 800 MHz frequency range. Specified @ 12.5 V, 870 MHz Characteristics Output Power = 1.5 W 1.5 W, 870 MHz Minimum Gain = 8.0 dB RF LOW POWER Efficiency 60% (Typ) TRANSISTOR Cost E

 9.2. Size:99K  motorola
mrf555re.pdfpdf_icon

MRF559

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF555/D The RF Line NPN Silicon MRF555 RF Low Power Transistor Designed primarily for wideband large signal predriver stages in the UHF frequency range. Specified @ 12.5 V, 470 MHz Characteristics @ Pout = 1.5 W Common Emitter Power Gain = 12.5 dB (Typ) 1.5 W, 470 MHz Efficiency 60% (Typ) RF LOW POWER Cost Effe

Другие транзисторы: MRF3104, MRF3105, MRF3106, MRF338, MRF4427R2, MRF553, MRF557, MRF5583, BC547, MRF5812, MRF5811LT1, MRF5943, MRF6402, MRF6404, MRF6404K, MRF6408, MRF6409