Справочник транзисторов. MRF5812

 

Биполярный транзистор MRF5812 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: MRF5812
   Маркировка: 5812
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.67 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2.5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5500(typ) MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1.2 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
   Корпус транзистора: SO8
 

 Аналог (замена) для MRF5812

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MRF5812 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:222K  motorola
 mrf581 mrf581a mrf5812.pdf pdf_icon

MRF5812

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MRF581/DThe RF LineMRF581NPN SiliconMRF581AHigh-Frequency TransistorsMRF5812, R1, R2Designed for high current low power amplifiers up to 1.0 GHz. Low Noise (2.0 dB @ 500 MHz) Low Intermodulation DistortionIC = 200 mA High GainLOW NOISE StateoftheArt TechnologyHIGHFREQUENCYFine L

 8.1. Size:155K  motorola
 mrf5811lt1.pdf pdf_icon

MRF5812

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MRF5811LT1/DThe RF LineMRF5811LT1NPN SiliconHigh-Frequency TransistorDesigned for high current, low power amplifiers up to 1.0 GHz.IC = 200 mA Low Noise (2.0 dB @ 500 MHz) LOW NOISEHIGHFREQUENCY Low Intermodulation DistortionTRANSISTOR High GainNPN SILICON StateoftheArt Technology

 8.2. Size:222K  motorola
 mrf581re.pdf pdf_icon

MRF5812

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MRF581/DThe RF LineMRF581NPN SiliconMRF581AHigh-Frequency TransistorsMRF5812, R1, R2Designed for high current low power amplifiers up to 1.0 GHz. Low Noise (2.0 dB @ 500 MHz) Low Intermodulation DistortionIC = 200 mA High GainLOW NOISE StateoftheArt TechnologyHIGHFREQUENCYFine L

 8.3. Size:155K  motorola
 mrf5811l.pdf pdf_icon

MRF5812

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MRF5811LT1/DThe RF LineMRF5811LT1NPN SiliconHigh-Frequency TransistorDesigned for high current, low power amplifiers up to 1.0 GHz.IC = 200 mA Low Noise (2.0 dB @ 500 MHz) LOW NOISEHIGHFREQUENCY Low Intermodulation DistortionTRANSISTOR High GainNPN SILICON StateoftheArt Technology

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... MRF3105 , MRF3106 , MRF338 , MRF4427R2 , MRF553 , MRF557 , MRF5583 , MRF559 , BD139 , MRF5811LT1 , MRF5943 , MRF6402 , MRF6404 , MRF6404K , MRF6408 , MRF6409 , MRF653S .

 

 
Back to Top

 


 
.