MRF5811LT1 - аналоги и даташиты биполярного транзистора

 

MRF5811LT1 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: MRF5811LT1
   Маркировка: 20
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.71 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 36 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 18 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2.5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5000(typ) MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
   Корпус транзистора: CASE318A-05

 Аналоги (замена) для MRF5811LT1

 

MRF5811LT1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:155K  motorola
 mrf5811lt1.pdf pdf_icon

MRF5811LT1

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF5811LT1/D The RF Line MRF5811LT1 NPN Silicon High-Frequency Transistor Designed for high current, low power amplifiers up to 1.0 GHz. IC = 200 mA Low Noise (2.0 dB @ 500 MHz) LOW NOISE HIGH FREQUENCY Low Intermodulation Distortion TRANSISTOR High Gain NPN SILICON State of the Art Technology

 6.1. Size:155K  motorola
 mrf5811l.pdf pdf_icon

MRF5811LT1

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF5811LT1/D The RF Line MRF5811LT1 NPN Silicon High-Frequency Transistor Designed for high current, low power amplifiers up to 1.0 GHz. IC = 200 mA Low Noise (2.0 dB @ 500 MHz) LOW NOISE HIGH FREQUENCY Low Intermodulation Distortion TRANSISTOR High Gain NPN SILICON State of the Art Technology

 8.1. Size:222K  motorola
 mrf581re.pdf pdf_icon

MRF5811LT1

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF581/D The RF Line MRF581 NPN Silicon MRF581A High-Frequency Transistors MRF5812, R1, R2 Designed for high current low power amplifiers up to 1.0 GHz. Low Noise (2.0 dB @ 500 MHz) Low Intermodulation Distortion IC = 200 mA High Gain LOW NOISE State of the Art Technology HIGH FREQUENCY Fine L

 8.2. Size:222K  motorola
 mrf581 mrf581a mrf5812.pdf pdf_icon

MRF5811LT1

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF581/D The RF Line MRF581 NPN Silicon MRF581A High-Frequency Transistors MRF5812, R1, R2 Designed for high current low power amplifiers up to 1.0 GHz. Low Noise (2.0 dB @ 500 MHz) Low Intermodulation Distortion IC = 200 mA High Gain LOW NOISE State of the Art Technology HIGH FREQUENCY Fine L

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... MRF3106 , MRF338 , MRF4427R2 , MRF553 , MRF557 , MRF5583 , MRF559 , MRF5812 , TIP41C , MRF5943 , MRF6402 , MRF6404 , MRF6404K , MRF6408 , MRF6409 , MRF653S , MRF837 .

 

 
Back to Top

 


 
.