MRF5811LT1 - параметры, поиск аналогов, даташиты транзистора

Биполярный транзистор MRF5811LT1 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

   Наименование производителя: MRF5811LT1
   Маркировка: 20
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.71 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 36 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 18 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2.5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5000(typ) MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
   Корпус транзистора: CASE318A-05

Аналоги (замена) для MRF5811LT1

MRF5811LT1 Datasheet (PDF)

..1. Size:155K motorola
mrf5811lt1.pdf

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MRF5811LT1/DThe RF LineMRF5811LT1NPN SiliconHigh-Frequency TransistorDesigned for high current, low power amplifiers up to 1.0 GHz.IC = 200 mA Low Noise (2.0 dB @ 500 MHz) LOW NOISEHIGHFREQUENCY Low Intermodulation DistortionTRANSISTOR High GainNPN SILICON StateoftheArt Technology

6.1. Size:155K motorola
mrf5811l.pdf

8.1. Size:222K motorola
mrf581re.pdf

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MRF581/DThe RF LineMRF581NPN SiliconMRF581AHigh-Frequency TransistorsMRF5812, R1, R2Designed for high current low power amplifiers up to 1.0 GHz. Low Noise (2.0 dB @ 500 MHz) Low Intermodulation DistortionIC = 200 mA High GainLOW NOISE StateoftheArt TechnologyHIGHFREQUENCYFine L

8.2. Size:222K motorola
mrf581 mrf581a mrf5812.pdf