MRF5811LT1 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MRF5811LT1  📄📄 

Маркировка: 20

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.71 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 36 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 18 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2.5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5000 typ MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50

Корпус транзистора: CASE318A-05

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для MRF5811LT1

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MRF5811LT1 даташит

 ..1. Size:155K  motorola
 mrf5811lt1.pdf pdf_icon

MRF5811LT1

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF5811LT1/D The RF Line MRF5811LT1 NPN Silicon High-Frequency Transistor Designed for high current, low power amplifiers up to 1.0 GHz. IC = 200 mA Low Noise (2.0 dB @ 500 MHz) LOW NOISE HIGH FREQUENCY Low Intermodulation Distortion TRANSISTOR High Gain NPN SILICON State of the Art Technology

 6.1. Size:155K  motorola
 mrf5811l.pdf pdf_icon

MRF5811LT1

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF5811LT1/D The RF Line MRF5811LT1 NPN Silicon High-Frequency Transistor Designed for high current, low power amplifiers up to 1.0 GHz. IC = 200 mA Low Noise (2.0 dB @ 500 MHz) LOW NOISE HIGH FREQUENCY Low Intermodulation Distortion TRANSISTOR High Gain NPN SILICON State of the Art Technology

 8.1. Size:222K  motorola
 mrf581re.pdf pdf_icon

MRF5811LT1

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF581/D The RF Line MRF581 NPN Silicon MRF581A High-Frequency Transistors MRF5812, R1, R2 Designed for high current low power amplifiers up to 1.0 GHz. Low Noise (2.0 dB @ 500 MHz) Low Intermodulation Distortion IC = 200 mA High Gain LOW NOISE State of the Art Technology HIGH FREQUENCY Fine L

 8.2. Size:222K  motorola
 mrf581 mrf581a mrf5812.pdf pdf_icon

MRF5811LT1

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF581/D The RF Line MRF581 NPN Silicon MRF581A High-Frequency Transistors MRF5812, R1, R2 Designed for high current low power amplifiers up to 1.0 GHz. Low Noise (2.0 dB @ 500 MHz) Low Intermodulation Distortion IC = 200 mA High Gain LOW NOISE State of the Art Technology HIGH FREQUENCY Fine L

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: MRF3106, MRF338, MRF4427R2, MRF553, MRF557, MRF5583, MRF559, MRF5812, TIP41C, MRF5943, MRF6402, MRF6404, MRF6404K, MRF6408, MRF6409, MRF653S, MRF837