MRF6409 datasheet, аналоги, параметры транзистора

MRF6409 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MRF6409 📄📄

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 45 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 55 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 24 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 960 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 18 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: CASE319-07

📄📄 Копировать

Аналоги (замена) для MRF6409

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

MRF6409 даташит

..1. Size:273K motorola
mrf6409.pdf pdf_icon

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF6409/D The RF Line NPN Silicon MRF6409 RF Power Transistor The MRF6409 is designed for GSM base stations applications. It incorpo- rates high value emitter ballast resistors, gold metallizations and offers a high degree of reliability and ruggedness. To be used in Class AB Specified 26 Volts, 960 MHz Characteris

0.1. Size:273K motorola
mrf6409rev0.pdf pdf_icon

8.1. Size:120K motorola
mrf6402.pdf pdf_icon

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF6402/D The RF Line NPN Silicon MRF6402 RF Power Transistor The MRF6402 is designed for 1.8 GHz Personal Communications Network (PCN) base stations applications. It incorporates high value emitter ballast resistors, gold metallizations and offers a high degree of reliability and ruggedness. For ease of design, this transi

8.2. Size:153K motorola
mrf6402rev7.pdf pdf_icon