MRF653S datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MRF653S  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 44 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 38 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 16.5 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2.75 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 512 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 22 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: CASE249-06

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для MRF653S

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MRF653S даташит

 ..1. Size:123K  motorola
 mrf653 mrf653s.pdf pdf_icon

MRF653S

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF653/D The RF Line NPN Silicon MRF653 RF Power Transistors MRF653S Designed for 12.5 Volt UHF large signal amplifier applications in industrial and commercial FM equipment operating to 512 MHz. Specified 12.5 Volt, 512 MHz Characteristics Output Power = 10 W 10 W, 512 MHz Gain = 8.0 dB (Typ) RF POWER Efficiency

 8.1. Size:163K  motorola
 mrf653.pdf pdf_icon

MRF653S

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF653/D The RF Line NPN Silicon MRF653 RF Power Transistor Designed for 12.5 Volt UHF large signal amplifier applications in industrial and commercial FM equipment operating to 512 MHz. Specified 12.5 Volt, 512 MHz Characteristics Output Power = 10 W 10 W, 512 MHz Gain = 8.0 dB (Typ) RF POWER Efficiency = 65% (Ty

 8.2. Size:163K  motorola
 mrf653rev8.pdf pdf_icon

MRF653S

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF653/D The RF Line NPN Silicon MRF653 RF Power Transistor Designed for 12.5 Volt UHF large signal amplifier applications in industrial and commercial FM equipment operating to 512 MHz. Specified 12.5 Volt, 512 MHz Characteristics Output Power = 10 W 10 W, 512 MHz Gain = 8.0 dB (Typ) RF POWER Efficiency = 65% (Ty

 8.3. Size:123K  motorola
 mrf653re.pdf pdf_icon

MRF653S

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF653/D The RF Line NPN Silicon MRF653 RF Power Transistors MRF653S Designed for 12.5 Volt UHF large signal amplifier applications in industrial and commercial FM equipment operating to 512 MHz. Specified 12.5 Volt, 512 MHz Characteristics Output Power = 10 W 10 W, 512 MHz Gain = 8.0 dB (Typ) RF POWER Efficiency

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: MRF5812, MRF5811LT1, MRF5943, MRF6402, MRF6404, MRF6404K, MRF6408, MRF6409, 2N5401, MRF837, MRF8372R1, MRF8372R2, MRF847, MRF857, MRF858, MRF858S, MRF859