Справочник транзисторов. MRF653S

 

Биполярный транзистор MRF653S Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: MRF653S
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 44 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 38 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 16.5 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2.75 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 512 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 22 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
   Корпус транзистора: CASE249-06
 

 Аналог (замена) для MRF653S

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MRF653S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:123K  motorola
 mrf653 mrf653s.pdf pdf_icon

MRF653S

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MRF653/DThe RF LineNPN SiliconMRF653RF Power TransistorsMRF653SDesigned for 12.5 Volt UHF largesignal amplifier applications in industrialand commercial FM equipment operating to 512 MHz. Specified 12.5 Volt, 512 MHz CharacteristicsOutput Power = 10 W10 W, 512 MHzGain = 8.0 dB (Typ)RF POWEREfficiency

 8.1. Size:163K  motorola
 mrf653.pdf pdf_icon

MRF653S

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MRF653/DThe RF LineNPN SiliconMRF653RF Power TransistorDesigned for 12.5 Volt UHF largesignal amplifier applications in industrialand commercial FM equipment operating to 512 MHz. Specified 12.5 Volt, 512 MHz CharacteristicsOutput Power = 10 W10 W, 512 MHzGain = 8.0 dB (Typ)RF POWEREfficiency = 65% (Ty

 8.2. Size:163K  motorola
 mrf653rev8.pdf pdf_icon

MRF653S

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MRF653/DThe RF LineNPN SiliconMRF653RF Power TransistorDesigned for 12.5 Volt UHF largesignal amplifier applications in industrialand commercial FM equipment operating to 512 MHz. Specified 12.5 Volt, 512 MHz CharacteristicsOutput Power = 10 W10 W, 512 MHzGain = 8.0 dB (Typ)RF POWEREfficiency = 65% (Ty

 8.3. Size:123K  motorola
 mrf653re.pdf pdf_icon

MRF653S

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MRF653/DThe RF LineNPN SiliconMRF653RF Power TransistorsMRF653SDesigned for 12.5 Volt UHF largesignal amplifier applications in industrialand commercial FM equipment operating to 512 MHz. Specified 12.5 Volt, 512 MHz CharacteristicsOutput Power = 10 W10 W, 512 MHzGain = 8.0 dB (Typ)RF POWEREfficiency

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... MRF5812 , MRF5811LT1 , MRF5943 , MRF6402 , MRF6404 , MRF6404K , MRF6408 , MRF6409 , TIP41 , MRF837 , MRF8372R1 , MRF8372R2 , MRF847 , MRF857 , MRF858 , MRF858S , MRF859 .

 

 
Back to Top

 


 
.