Биполярный транзистор MRF8372R1 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: MRF8372R1
Маркировка: 8372
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.67 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 36 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 16 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 870 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1.8 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
Корпус транзистора: SO8
Аналоги (замена) для MRF8372R1
MRF8372R1 Datasheet (PDF)
mrf8372r1 mrf8372r2.pdf
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MRF8372/DThe RF LineNPN SiliconMRF8372R1, R2RF Low Power TransistorDesigned primarily for wideband large signal predriver stages in 800 MHzand UHF frequency ranges. Specified @ 12.5 V, 870 MHz CharacteristicsOutput Power = 750 mW750 mW, 870 MHzMinimum Gain = 8.0 dBRF LOW POWEREfficiency 60% (Typ)TRANSIS
mrf8372rev0.pdf
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MRF8372/DThe RF LineNPN SiliconMRF8372R1, R2RF Low Power TransistorDesigned primarily for wideband large signal predriver stages in 800 MHzand UHF frequency ranges. Specified @ 12.5 V, 870 MHz CharacteristicsOutput Power = 750 mW750 mW, 870 MHzMinimum Gain = 8.0 dBRF LOW POWEREfficiency 60% (Typ)TRANSIS
mrf837.pdf
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MRF837/DThe RF LineNPN SiliconMRF837RF Low Power TransistorMRF8372, R1, R2Designed primarily for wideband large signal predriver stages in 800 MHzand UHF frequency ranges. Specified @ 12.5 V, 870 MHz CharacteristicsOutput Power = 750 mW750 mW, 870 MHzMinimum Gain = 8.0 dBRF LOW POWEREfficiency 60% (Typ)
mrf837re.pdf
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MRF837/DThe RF LineNPN SiliconMRF837RF Low Power TransistorMRF8372, R1, R2Designed primarily for wideband large signal predriver stages in 800 MHzand UHF frequency ranges. Specified @ 12.5 V, 870 MHz CharacteristicsOutput Power = 750 mW750 mW, 870 MHzMinimum Gain = 8.0 dBRF LOW POWEREfficiency 60% (Typ)
Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 13009 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .
Список транзисторов
Обновления
BJT: 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050 | HSA1037AKS