Справочник транзисторов. MRF8372R1

 

Биполярный транзистор MRF8372R1 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: MRF8372R1
   Маркировка: 8372
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.67 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 36 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 16 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 870 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1.8 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
   Корпус транзистора: SO8
 

 Аналог (замена) для MRF8372R1

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MRF8372R1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:101K  motorola
 mrf8372r1 mrf8372r2.pdf pdf_icon

MRF8372R1

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MRF8372/DThe RF LineNPN SiliconMRF8372R1, R2RF Low Power TransistorDesigned primarily for wideband large signal predriver stages in 800 MHzand UHF frequency ranges. Specified @ 12.5 V, 870 MHz CharacteristicsOutput Power = 750 mW750 mW, 870 MHzMinimum Gain = 8.0 dBRF LOW POWEREfficiency 60% (Typ)TRANSIS

 6.1. Size:101K  motorola
 mrf8372rev0.pdf pdf_icon

MRF8372R1

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MRF8372/DThe RF LineNPN SiliconMRF8372R1, R2RF Low Power TransistorDesigned primarily for wideband large signal predriver stages in 800 MHzand UHF frequency ranges. Specified @ 12.5 V, 870 MHz CharacteristicsOutput Power = 750 mW750 mW, 870 MHzMinimum Gain = 8.0 dBRF LOW POWEREfficiency 60% (Typ)TRANSIS

 8.1. Size:181K  motorola
 mrf837.pdf pdf_icon

MRF8372R1

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MRF837/DThe RF LineNPN SiliconMRF837RF Low Power TransistorMRF8372, R1, R2Designed primarily for wideband large signal predriver stages in 800 MHzand UHF frequency ranges. Specified @ 12.5 V, 870 MHz CharacteristicsOutput Power = 750 mW750 mW, 870 MHzMinimum Gain = 8.0 dBRF LOW POWEREfficiency 60% (Typ)

 8.2. Size:181K  motorola
 mrf837re.pdf pdf_icon

MRF8372R1

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MRF837/DThe RF LineNPN SiliconMRF837RF Low Power TransistorMRF8372, R1, R2Designed primarily for wideband large signal predriver stages in 800 MHzand UHF frequency ranges. Specified @ 12.5 V, 870 MHz CharacteristicsOutput Power = 750 mW750 mW, 870 MHzMinimum Gain = 8.0 dBRF LOW POWEREfficiency 60% (Typ)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... MRF5943 , MRF6402 , MRF6404 , MRF6404K , MRF6408 , MRF6409 , MRF653S , MRF837 , 2N3904 , MRF8372R2 , MRF847 , MRF857 , MRF858 , MRF858S , MRF859 , MRF859S , MRF860 .

 

 
Back to Top

 


 
.