2SB173B datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: 2SB173B 📄📄
Тип материала: Ge
Полярность: PNP
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.125 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.01 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 75 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.1 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50
Корпус транзистора: TO1
📄📄 Копировать
Аналоги (замена) для 2SB173B
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
2SB173B даташит
2sb1733.pdf
2SB1733 Transistors General purpose amplification (-30V, -1A) 2SB1733 Dimensions (Unit mm) Application Low frequency amplifier Driver Features 1) A collector current is large. 2) Collector saturation voltage is low. VCE(sat) max. -350mV at Ic = -500mA / IB = -25mA ROHM TUMT3 Abbreviated symbol EW (1) Base (2) Emitter (3) Collector Packaging specification
2sb1731.pdf
2SB1731 Transistors Low frequency amplifier 2SB1731 Dimensions (Unit mm) Application Low frequency amplifier Driver Features 1) A collector current is large. 2) VCE(sat) -370mV at IC =-1A / IB =-50mA ROHM TUMT3 Abbreviated symbol FL (1)Base (2)Emitter (3)Collector Packaging specifications Absolute maximum ratings (Ta=25 C) Parameter Symbol Limits Un
2sb1730.pdf
2SB1730 Transistors General purpose amplification(-12V, -2A) 2SB1730 Applications Dimensions (Unit mm) Low frequency amplifier Deiver Features 1) A collector current is large. 2) Collector saturation voltage is low. VCE(sat) -180mV at IC= -1A / IB= -50mA ROHM TUMT3 Abbreviated symbol FV (1) Base Packaging specifications (2) Emitter (3) Collector Packag
2sb1732.pdf
2SB1732 Transistors Genera purpose amplification(-12V, -1.5A) 2SB1732 Dimensions (Unit mm) Application Low frequency amplifier Driver Features 1) A collector current is large. 2) Collector saturation voltage is low. VCE(sat) -200mV ROHM TUMT3 Abbreviated symbol EV (1)Base at IC = -500mA / IB = -25mA (2)Emitter (3)Collector Packaging specifications
Другие транзисторы: 2SB169, 2SB16A, 2SB17, 2SB170, 2SB171, 2SB172, 2SB172A, 2SB173, BD336, 2SB174, 2SB175, 2SB176, 2SB177, 2SB178, 2SB178A, 2SB178B, 2SB178Q
Параметры биполярного транзистора и их взаимосвязь
Список транзисторов
Обновления
BJT: ZDT6705 | GA1L4Z | GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L
Popular searches
20n60 | ksa1013 | mje15032g datasheet | 2sc2166 | 2sc5198 | 2sc1971 | tip41c transistor datasheet | 2n3907






