BFR74 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BFR74

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.12 W

Tensión colector-base (Vcb): 60 V

Tensión colector-emisor (Vce): 60 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.2 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 125 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Capacitancia de salida (Cc): 20 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 100

Encapsulados: OV16

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BFR74 datasheet

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BFR74

BFR740EL3 SiGe C NPN RF bipolar transistor Product description The BFR740EL3 is a wideband RF heterojunction bipolar transistor (HBT) available in a low profile package. Feature list Low noise figure NFmin = 0.5 dB at 1.9 GHz 3 V, 6 mA; 0.8 dB at 5.5 GHz, 3 V, 6 mA High power gain Gms = 20 dB at 5.5 GHz, 3 V, 15 mA Low profile and small form factor leadless package High

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BFR74

BFR740L3RH SiGe C NPN RF bipolar transistor Product description The BFR740L3RH is a wideband RF heterojunction bipolar transistor (HBT) available in a low profile package. Feature list Low noise figure NFmin = 0.5 dB at 1.9 GHz 3 V, 6 mA; 0.8 dB at 5.5 GHz, 3 V, 6 mA High power gain Gms = 20 dB at 5.5 GHz, 3 V, 15 mA Low profile and small form factor leadless package Produc

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