Справочник MOSFET. IRFH5053

 

IRFH5053 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRFH5053
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 7.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 230 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm
   Тип корпуса: PQFN5X6
 

 Аналог (замена) для IRFH5053

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFH5053 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:253K  international rectifier
 irfh5053pbf.pdf pdf_icon

IRFH5053

PD - 97359IRFH5053PbFApplicationsHEXFET Power MOSFETl 3 Phase Boost Converter ApplicationsVDSS RDS(on) maxQgl Secondary Side Synchronous Rectification18m100V @VGS = 10V24nCBenefitsSl Very low RDS(ON) at 10V VGSSl Low Gate ChargeDSl Fully Characterized Avalanche Voltage andDG CurrentDl 100% Tested for RGDl Lead-Free (Qualified up to 260C R

 8.1. Size:260K  1
 irfh5020trpbf.pdf pdf_icon

IRFH5053

IRFH5020PbFHEXFET Power MOSFETVDS 200 VRDS(on) max 55 m(@VGS = 10V)Qg (typical) 36 nCRG (typical) 1.9 ID 34 A(@Tc(Bottom) = 25C)PQFN 5X6 mmApplications Secondary Side Synchronous Rectification Inverters for DC Motors DC-DC Brick Applications Boost ConvertersFeatures and BenefitsBenefitsFeaturesLow RDSon Lower Conduction LossesLow The

 8.2. Size:263K  1
 irfh5006trpbf.pdf pdf_icon

IRFH5053

IRFH5006PbFHEXFET Power MOSFETVDS 60 VRDS(on) max 4.1 m(@VGS = 10V)Qg (typical) 69 nCRG (typical) 1.2 ID 100 A(@Tmb = 25C)PQFN 5X6 mmApplications Secondary Side Synchronous Rectification Inverters for DC Motors DC-DC Brick Applications Boost ConvertersFeatures and BenefitsBenefitsFeaturesLow RDSon ( 4.1m) Lower Conduction Losses

 8.3. Size:254K  1
 irfh5010trpbf.pdf pdf_icon

IRFH5053

IRFH5010PbFHEXFET Power MOSFETVDS100 VRDS(on) max 9.0 m(@VGS = 10V)Qg (typical)67nCRG (typical)1.2ID PQFN 5X6 mm100 A(@Tc(Bottom) = 25C)Applications Secondary Side Synchronous Rectification Inverters for DC Motors DC-DC Brick ApplicationsFeatures and BenefitsBenefitsFeaturesLow RDSon (

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFH3707 , IRFH5004 , IRFH5006 , IRFH5007 , IRFH5010 , IRFH5015 , IRFH5020 , IRFH5025 , TK10A60D , IRFH5104 , IRFH5106 , IRFH5110 , IRFH5204 , IRFH5206 , IRFH5207 , IRFH5210 , IRFH5215 .

History: WMM07N60C4 | SWP16N65K | NCE70T1K2R | STP260N6F6 | VBZM20P06 | STD3NK80Z

 

 
Back to Top

 


 
.