IRFH5053 - описание и поиск аналогов

 

IRFH5053. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRFH5053

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 230 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm

Тип корпуса: PQFN5X6

Аналог (замена) для IRFH5053

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFH5053 даташит

 ..1. Size:253K  international rectifier
irfh5053pbf.pdfpdf_icon

IRFH5053

PD - 97359 IRFH5053PbF Applications HEXFET Power MOSFET l 3 Phase Boost Converter Applications VDSS RDS(on) max Qg l Secondary Side Synchronous Rectification 18m 100V @VGS = 10V 24nC Benefits S l Very low RDS(ON) at 10V VGS S l Low Gate Charge D S l Fully Characterized Avalanche Voltage and D G Current D l 100% Tested for RG D l Lead-Free (Qualified up to 260 C R

 8.1. Size:260K  1
irfh5020trpbf.pdfpdf_icon

IRFH5053

IRFH5020PbF HEXFET Power MOSFET VDS 200 V RDS(on) max 55 m (@VGS = 10V) Qg (typical) 36 nC RG (typical) 1.9 ID 34 A (@Tc(Bottom) = 25 C) PQFN 5X6 mm Applications Secondary Side Synchronous Rectification Inverters for DC Motors DC-DC Brick Applications Boost Converters Features and Benefits Benefits Features Low RDSon Lower Conduction Losses Low The

 8.2. Size:263K  1
irfh5006trpbf.pdfpdf_icon

IRFH5053

IRFH5006PbF HEXFET Power MOSFET VDS 60 V RDS(on) max 4.1 m (@VGS = 10V) Qg (typical) 69 nC RG (typical) 1.2 ID 100 A (@Tmb = 25 C) PQFN 5X6 mm Applications Secondary Side Synchronous Rectification Inverters for DC Motors DC-DC Brick Applications Boost Converters Features and Benefits Benefits Features Low RDSon ( 4.1m ) Lower Conduction Losses

 8.3. Size:254K  1
irfh5010trpbf.pdfpdf_icon

IRFH5053

IRFH5010PbF HEXFET Power MOSFET VDS 100 V RDS(on) max 9.0 m (@VGS = 10V) Qg (typical) 67 nC RG (typical) 1.2 ID PQFN 5X6 mm 100 A (@Tc(Bottom) = 25 C) Applications Secondary Side Synchronous Rectification Inverters for DC Motors DC-DC Brick Applications Features and Benefits Benefits Features Low RDSon (

Другие MOSFET... IRFH3707 , IRFH5004 , IRFH5006 , IRFH5007 , IRFH5010 , IRFH5015 , IRFH5020 , IRFH5025 , 13N50 , IRFH5104 , IRFH5106 , IRFH5110 , IRFH5204 , IRFH5206 , IRFH5207 , IRFH5210 , IRFH5215 .

History: FCPF850N80Z | IRFB5615 | FQA18N50V2 | IRFH5215 | 2SK1938-01

 

 

 

 

↑ Back to Top
.