IRLS610A - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: IRLS610A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 19 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 35 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm
Тип корпуса: TO220F
Аналог (замена) для IRLS610A
IRLS610A Datasheet (PDF)
irls610a.pdf

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 200 V Logic Level Gate DriveRDS(on) = 1.5 Avalanche Rugged Technology Rugged Gate Oxide Technology ID = 2.5 A Lower Input Capacitance Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 200V Lower RDS(ON) : 1.185 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum Ratings
irls610a.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor IRLS610AFEATURESWith TO-220F packagingHigh speed switchingLow gate input resistanceStandard level gate driveEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplySwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PA
irls640a.pdf

IRLS640AAdvanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 200 V Logic-Level Gate DriveRDS(on) = 0.18 Avalanche Rugged Technology Rugged Gate Oxide Technology ID = 9.8 A Lower Input Capacitance Improved Gate ChargeTO-220F Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 200V Lower RDS(ON) : 0.145 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute M
irls640a.pdf

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 200 V Logic Level Gate DriveRDS(on) = 0.18 Avalanche Rugged Technology Rugged Gate Oxide Technology ID = 9.8 A Lower Input Capacitance Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 200V Lower RDS(ON) : 0.145 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum Rati
Другие MOSFET... IRLR2905 , IRLR3103 , IRLR3303 , IRLR3410 , IRLS510A , IRLS520A , IRLS530A , IRLS540A , MMIS60R580P , IRLS620A , IRLS630A , IRLS640A , IRLSZ14A , IRLSZ24A , IRLSZ34A , IRLSZ44A , IRLU010 .
History: DMN1045UFR4 | DMHC10H170SFJ | DMHC3025LSD | DMN10H100SK3 | DMN1019UVT | DMJ7N70SK3 | DMHC4035LSD
History: DMN1045UFR4 | DMHC10H170SFJ | DMHC3025LSD | DMN10H100SK3 | DMN1019UVT | DMJ7N70SK3 | DMHC4035LSD



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP80P06NF | AP7N50D | AP70P03NF | AP6N04SI | AP6N03SI | AP6N03LI | AP6H03S | ATM3401PSA | ATM3401APSA | ATM3400NSA | ATM3003PSA | ATM2N65TD | ATM2604KNSG | ATM2602NSG | ATM2320KNSQ | AP5N30D
Popular searches
2sc1328 | 2sc1845 transistor | a933 transistor datasheet | a1633 transistor | 2sa844 | 2sc1327 | 2sc3855 | 2sc945 transistor equivalent