Справочник MOSFET. IRLS610A

 

IRLS610A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRLS610A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 19 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 35 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для IRLS610A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRLS610A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:788K  samsung
irls610a.pdfpdf_icon

IRLS610A

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 200 V Logic Level Gate DriveRDS(on) = 1.5 Avalanche Rugged Technology Rugged Gate Oxide Technology ID = 2.5 A Lower Input Capacitance Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 200V Lower RDS(ON) : 1.185 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum Ratings

 ..2. Size:254K  inchange semiconductor
irls610a.pdfpdf_icon

IRLS610A

isc N-Channel MOSFET Transistor IRLS610AFEATURESWith TO-220F packagingHigh speed switchingLow gate input resistanceStandard level gate driveEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplySwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PA

 9.1. Size:258K  fairchild semi
irls640a.pdfpdf_icon

IRLS610A

IRLS640AAdvanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 200 V Logic-Level Gate DriveRDS(on) = 0.18 Avalanche Rugged Technology Rugged Gate Oxide Technology ID = 9.8 A Lower Input Capacitance Improved Gate ChargeTO-220F Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 200V Lower RDS(ON) : 0.145 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute M

 9.2. Size:914K  samsung
irls640a.pdfpdf_icon

IRLS610A

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 200 V Logic Level Gate DriveRDS(on) = 0.18 Avalanche Rugged Technology Rugged Gate Oxide Technology ID = 9.8 A Lower Input Capacitance Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 200V Lower RDS(ON) : 0.145 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum Rati

Другие MOSFET... IRLR2905 , IRLR3103 , IRLR3303 , IRLR3410 , IRLS510A , IRLS520A , IRLS530A , IRLS540A , AO3401 , IRLS620A , IRLS630A , IRLS640A , IRLSZ14A , IRLSZ24A , IRLSZ34A , IRLSZ44A , IRLU010 .

History: ATP113 | BF904A | BUK104-50L

 

 
Back to Top

 


 
.