Справочник транзисторов. BFU530W

 

Биполярный транзистор BFU530W Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BFU530W
   Маркировка: ZB*
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.45 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 24 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.01 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 11000 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.68 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
   Корпус транзистора: SOT323
 

 Аналог (замена) для BFU530W

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BFU530W Datasheet (PDF)

 ..1. Size:296K  nxp
bfu530w.pdfpdf_icon

BFU530W

BFU530WNPN wideband silicon RF transistorRev. 1 13 January 2014 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN silicon RF transistor for high speed, low noise applications in a plastic, 3-pin SOT323 package.The BFU530W is part of the BFU5 family of transistors, suitable for small signal to medium power applications up to 2 GHz.1.2 Features and benefits

 8.1. Size:325K  philips
bfu530x.pdfpdf_icon

BFU530W

BFU530XNPN wideband silicon RF transistorRev. 1 5 March 2014 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN silicon RF transistor for high speed, low noise applications in a plastic, 4-pin dual-emitter SOT143B package.The BFU530X is part of the BFU5 family of transistors, suitable for small signal to medium power applications up to 2 GHz.1.2 Features and be

 8.2. Size:335K  philips
bfu530xr.pdfpdf_icon

BFU530W

BFU530XRNPN wideband silicon RF transistorRev. 1 5 March 2014 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN silicon RF transistor for high speed, low noise applications in a plastic, 4-pin dual-emitter SOT143R package.The BFU530XR is part of the BFU5 family of transistors, suitable for small signal to medium power applications up to 2 GHz.1.2 Features and

 8.3. Size:328K  philips
bfu530.pdfpdf_icon

BFU530W

BFU530NPN wideband silicon RF transistorRev. 1 5 March 2014 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN silicon RF transistor for high speed, low noise applications in a plastic, 4-pin dual-emitter SOT143B package.The BFU530 is part of the BFU5 family of transistors, suitable for small signal to medium power applications up to 2 GHz.1.2 Features and bene

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top

 


 
.