NSS40301MDR2G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NSS40301MDR2G

Маркировка: N40301

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.58 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 40 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 200

Корпус транзистора: SOIC8

 Аналоги (замена) для NSS40301MDR2G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

NSS40301MDR2G даташит

 ..1. Size:199K  onsemi
 nss40301mdr2g.pdf pdf_icon

NSS40301MDR2G

DATA SHEET www.onsemi.com Dual Matched 40 V, 6.0 A, 40 VOLTS 6.0 AMPS Low VCE(sat) NPN Transistor NPN LOW VCE(sat) TRANSISTOR EQUIVALENT RDS(on) 44 mW NSS40301MDR2G These transistors are part of the onsemi e2PowerEdge family of Low VCE(sat) transistors. They are assembled to create a pair of devices COLLECTOR COLLECTOR highly matched in all parameters, including ultra low saturation

 4.1. Size:106K  onsemi
 nss40301md.pdf pdf_icon

NSS40301MDR2G

NSS40301MDR2G Dual Matched 40 V, 6.0 A, Low VCE(sat) NPN Transistor These transistors are part of the ON Semiconductor e2PowerEdge family of Low VCE(sat) transistors. They are assembled to create a pair of devices highly matched in all parameters, including ultra low saturation voltage VCE(sat), high current gain and Base/Emitter turn on http //onsemi.com voltage. Typical applications

 5.1. Size:92K  onsemi
 nss40301mz4.pdf pdf_icon

NSS40301MDR2G

NSS40301MZ4 Bipolar Power Transistors 40 V, 3.0 A, Low VCE(sat) NPN Transistor ON Semiconductor s e2PowerEdge family of low VCE(sat) transistors are surface mount devices featuring ultra low saturation http //onsemi.com voltage (VCE(sat)) and high current gain capability. These are designed for use in low voltage, high speed switching applications where NPN TRANSISTOR affordable effic

 5.2. Size:88K  onsemi
 nss40301mz4t1g.pdf pdf_icon

NSS40301MDR2G

NSS40301MZ4 Bipolar Power Transistors 40 V, 3.0 A, Low VCE(sat) NPN Transistor ON Semiconductor s e2PowerEdge family of low VCE(sat) transistors are surface mount devices featuring ultra low saturation http //onsemi.com voltage (VCE(sat)) and high current gain capability. These are designed for use in low voltage, high speed switching applications where NPN TRANSISTOR affordable effic

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: NSVBC858BLT1G, NSVBC858CLT1G, NSS20101J, NSS20200LT1G, NSS20201LT1G, NSS20201MR6, NSS40300MZ4T1G, NSS40300MZ4T3G, SS8050, NSS40301MZ4T1G, NSS40301MZ4T3G, NSS40302PDR2G, NSS40500UW3T2G, NSS40501UW3T2G, NSS40600CF8T1G, NSS40601CF8T1G, NSS60100DMT