Справочник MOSFET. FDPF13N50FT

 

FDPF13N50FT Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FDPF13N50FT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 42 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.54 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для FDPF13N50FT

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDPF13N50FT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:625K  fairchild semi
fdp13n50f fdpf13n50ft.pdfpdf_icon

FDPF13N50FT

September 2007UniFETTMFDP13N50F / FDPF13N50FTtmN-Channel MOSFET 500V, 12A, 0.54Features Description RDS(on) = 0.42 ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 6A These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchilds proprietary, planar Low gate charge ( Typ. 30nC)stripe, DMOS technology. Low Crss ( Typ. 14.5pF)This advanced technol

 9.1. Size:427K  fairchild semi
fdpf12n35.pdfpdf_icon

FDPF13N50FT

April 2007 TMUniFETFDP12N35 / FDPF12N35 350V N-Channel MOSFETFeatures Description 12A, 350V, RDS(on) = 0.38 @VGS = 10 V These N-Channel enhancement mode power field effect Low gate charge ( typical 18 nC) transistors are produced using Fairchilds proprietary, planar Low Crss ( typical 15 pF) stripe, DMOS technology. Fast switchingThis advanced technology h

 9.2. Size:483K  fairchild semi
fdp10n50u fdpf10n50ut.pdfpdf_icon

FDPF13N50FT

November 2009UniFETTMFDP10N50U / FDPF10N50UTtmN-Channel MOSFET500V, 8A, 1.05Features Description RDS(on) = 0.85 ( Typ.) @ VGS = 10V, ID = 4A These N-Channel enhancement mode power field effect transis-tors are p roduced using Fa irchilds proprietary, planar stripe, Low Gate Charge ( Typ. 18nC)DMOS technology. Low Crss ( Typ. 9pF)This advan ce technology

 9.3. Size:601K  fairchild semi
fdpf18n20ft g.pdfpdf_icon

FDPF13N50FT

April 2013FDPF18N20FT_G N-Channel UniFETTM FRFET MOSFET 200 V, 18 A, 140 m Features DescriptionUniFETTM MOSFET is Fairchild Semiconductors high voltage RDS(on) = 129 m (Typ.) @ VGS = 10 V, ID = 9 AMOSFET family based on planar stripe and DMOS technology. This Low Gate Charge (Typ. 20 nC)MOSFET is tailored to reduce on-state resistance, and to provide bette

Другие MOSFET... FDPF10N60ZUT , STG8209 , FDPF12N50FT , FDPF12N50NZ , FDPF12N50T , FDPF12N50UT , FDPF12N60NZ , STG8205 , EMB04N03H , FDPF14N30 , FDPF15N65 , FDPF16N50 , FDPF16N50T , FDPF16N50UT , FDPF17N60NT , STG2454 , FDPF18N20FT .

 

 
Back to Top

 


 
.