CEM8958 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CEM8958  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7(5.2) A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 4(5) nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 145(155) pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.028 Ohm

Encapsulados: SO8

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CEM8958 datasheet

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CEM8958

CEM8958 Dual Enhancement Mode Field Effect Transistor (N and P Channel) FEATURES 5 30V, 7A, RDS(ON) = 28m @VGS = 10V. RDS(ON) = 40m @VGS = 4.5V. -30V, -5.2A, RDS(ON) = 52m @VGS = -10V. RDS(ON) = 80m @VGS = -4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). D1 D1 D2 D2 High power and current handing capability. 8 7 6 5 Lead free product is acquired. Surface

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CEM8958

CEM8958A Dual Enhancement Mode Field Effect Transistor (N and P Channel) PRELIMINARY FEATURES 5 30V, 6.8A, RDS(ON) = 28m @VGS = 10V. RDS(ON) = 42m @VGS = 4.5V. -30V, -4.8A, RDS(ON) = 58m @VGS = -10V. RDS(ON) = 85m @VGS = -4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). D1 D1 D2 D2 8 7 6 5 High power and current handing capability. Lead free product is acq

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CEM8958

CEM8968 Dual Enhancement Mode Field Effect Transistor (N and P Channel) FEATURES 5 30V, 7A, RDS(ON) = 28m @VGS = 10V. RDS(ON) = 40m @VGS = 4.5V. -30V, -6.2A, RDS(ON) = 33m @VGS = -10V. RDS(ON) = 52m @VGS = -4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). D1 D1 D2 D2 8 7 6 5 High power and current handing capability. Lead free product is acquired. Surface

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