CEM8958 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CEM8958
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: NP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7(5.2) A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 4(5) nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 145(155) pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.028 Ohm
Paquete / Cubierta: SO8
Búsqueda de reemplazo de CEM8958 MOSFET
Principales características: CEM8958
cem8958.pdf
CEM8958 Dual Enhancement Mode Field Effect Transistor (N and P Channel) FEATURES 5 30V, 7A, RDS(ON) = 28m @VGS = 10V. RDS(ON) = 40m @VGS = 4.5V. -30V, -5.2A, RDS(ON) = 52m @VGS = -10V. RDS(ON) = 80m @VGS = -4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). D1 D1 D2 D2 High power and current handing capability. 8 7 6 5 Lead free product is acquired. Surface
cem8958a.pdf
CEM8958A Dual Enhancement Mode Field Effect Transistor (N and P Channel) PRELIMINARY FEATURES 5 30V, 6.8A, RDS(ON) = 28m @VGS = 10V. RDS(ON) = 42m @VGS = 4.5V. -30V, -4.8A, RDS(ON) = 58m @VGS = -10V. RDS(ON) = 85m @VGS = -4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). D1 D1 D2 D2 8 7 6 5 High power and current handing capability. Lead free product is acq
cem8968.pdf
CEM8968 Dual Enhancement Mode Field Effect Transistor (N and P Channel) FEATURES 5 30V, 7A, RDS(ON) = 28m @VGS = 10V. RDS(ON) = 40m @VGS = 4.5V. -30V, -6.2A, RDS(ON) = 33m @VGS = -10V. RDS(ON) = 52m @VGS = -4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). D1 D1 D2 D2 8 7 6 5 High power and current handing capability. Lead free product is acquired. Surface
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Liste
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