Справочник MOSFET. TK12A80W

 

TK12A80W Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TK12A80W
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 29 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.45 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
 

 Аналог (замена) для TK12A80W

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK12A80W Datasheet (PDF)

 ..1. Size:405K  toshiba
tk12a80w.pdfpdf_icon

TK12A80W

TK12A80WMOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS)TK12A80WTK12A80WTK12A80WTK12A80W1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.38 (typ.)by using Super Junction Structure : DTMOS(2) Easy to control Gate switching(3) Enhan

 ..2. Size:253K  inchange semiconductor
tk12a80w.pdfpdf_icon

TK12A80W

INCHANGE SemiconductoriscN-Channel MOSFET Transistor TK12A80WITK12A80WFEATURESLow drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.38 (typ.)Enhancement mode: Vth = 3.0 to 4.0V (VDS = 10 V, ID=0.57mA)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONSwitching Voltage RegulatorsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(

 9.1. Size:241K  toshiba
tk12a60w.pdfpdf_icon

TK12A80W

TK12A60WMOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS)TK12A60WTK12A60WTK12A60WTK12A60W1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.265 (typ.) by used to Super Junction Structure : DTMOS(2) Easy to control Gate switching(3) E

 9.2. Size:201K  toshiba
tk12a45d.pdfpdf_icon

TK12A80W

TK12A45D TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (-MOS) TK12A45D Switching Regulator Applications Unit: mm2.7 0.2 10 0.3 3.2 0.2 A Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 0.43 (typ.) High forward transfer admittance: Yfs = 5.5 S (typ.) Low leakage current: IDSS = 10 A (max) (VDS = 450 V) Enhancement-mode:

Другие MOSFET... IRL60B216 , IRL8114 , TK10A50W , TK10A60D5 , TK10A80W , TK10E80W , TK12A50D5 , TK12A50W , IRF1404 , TK17A65W , TK17A65W5 , TK17E80W , TK19A50W , TK22A65X5 , TK290A60Y , TK290A65Y , TK380A60Y .

History: NCEAP020N60GU | FS10KM-12 | WMO26N65C4 | SJMN1K2R80ZD | WML14N60C4 | IPP80N04S3-06 | ISZ0901NLS

 

 
Back to Top

 


 
.