SIS332DN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SIS332DN
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.6 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15.4 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.4 VQgⓘ - Carga de la puerta: 18 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 250 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0084 Ohm
Paquete / Cubierta: 1212-8
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SIS332DN
SIS332DN Datasheet (PDF)
sis332dn.pdf
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New ProductSiS332DNVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)f Qg (Typ.)Definition0.0084 at VGS = 10 V 35g TrenchFET Power MOSFET30 8.1 nC0.0110 at VGS = 4.5 V 35g PWM Optimized 100 % Rg Tested 100 % UIS TestedPowerPAK 1212-8 Compliant to
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SiS334DNVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () Max. ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.0113 at VGS = 10 V 20 TrenchFET Power MOSFET30 5.1 nC 100 % Rg and UIS Tested0.0146 at VGS = 4.5 V 20 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECPowerPAK 1212-8APPLICATIONS Not
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New ProductSiS330DNVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)f Qg (Typ.)Definition0.0056 at VGS = 10 V 35g TrenchFET Power MOSFET30 11.2 nC0.0075 at VGS = 4.5 V 35g PWM Optimized 100 % Rg Tested 100 % UIS TestedPowerPAK 1212-8 Compliant t
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History: JCS1SN60VC
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Liste
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