SIS332DN Todos los transistores

 

SIS332DN MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SIS332DN

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.6 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15.4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 250 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0084 Ohm

Encapsulados: 1212-8

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SIS332DN datasheet

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SIS332DN

New Product SiS332DN Vishay Siliconix N-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)f Qg (Typ.) Definition 0.0084 at VGS = 10 V 35g TrenchFET Power MOSFET 30 8.1 nC 0.0110 at VGS = 4.5 V 35g PWM Optimized 100 % Rg Tested 100 % UIS Tested PowerPAK 1212-8 Compliant to

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SIS332DN

SiS334DN Vishay Siliconix N-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) Max. ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.0113 at VGS = 10 V 20 TrenchFET Power MOSFET 30 5.1 nC 100 % Rg and UIS Tested 0.0146 at VGS = 4.5 V 20 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC PowerPAK 1212-8 APPLICATIONS Not

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SIS332DN

New Product SiS330DN Vishay Siliconix N-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)f Qg (Typ.) Definition 0.0056 at VGS = 10 V 35g TrenchFET Power MOSFET 30 11.2 nC 0.0075 at VGS = 4.5 V 35g PWM Optimized 100 % Rg Tested 100 % UIS Tested PowerPAK 1212-8 Compliant t

Otros transistores... RF4E075AT , RF4E080BN , RF4E080GN , RF4E110BN , RF4E110GN , RF6E045AJ , SIS322DNT , SIS330DN , IRFB3607 , SIS334DN , SIS376DN , SIS402DN , SIS406DN , SIS407ADN , SIS407DN , SIS410DN , SIS412DN .

 

 

 

 

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