CEM2187 Todos los transistores

 

CEM2187 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CEM2187
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 505 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.022 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO8
 

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CEM2187 datasheet

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CEM2187

CEM2187 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES -20V, -7.6A, RDS(ON) = 22m @VGS = -4.5V. RDS(ON) = 32m @VGS = -2.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead free product is acquired. D1 D1 D2 D2 8 7 6 5 Surface mount Package. SO-8 1 2 3 4 1 S1 G1 S2 G2 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unle... See More ⇒

 8.1. Size:407K  cet
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CEM2187

CEM2182 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARY FEATURES 20V, 9.3A, RDS(ON) = 18m @VGS = 4.5V. RDS(ON) = 24m @VGS = 2.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D D D D Lead-free plating ; RoHS compliant. 8 7 6 5 Surface mount Package. SO-8 1 2 3 4 1 S S S G ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25... See More ⇒

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CEM2187

CEM2133 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARY FEATURES -20V, -10A, RDS(ON) = 18m @VGS = -4.5V. RDS(ON) = 27m @VGS = -2.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D D D D Lead-free plating ; RoHS compliant. 8 7 6 5 Surface mount Package. SO-8 1 2 3 4 1 S S S G ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA =... See More ⇒

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CEM2187

CEM2163 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES -20V, -8.9A, RDS(ON) = 20m @VGS = -4.5V. RDS(ON) = 30m @VGS = -2.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D D D D Lead free product is acquired. 8 7 6 5 Surface mount Package. SO-8 1 2 3 4 1 S S S G ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless oth... See More ⇒

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